一种检测观察缺陷的方法

摘要

本发明公开了一种检测观察缺陷的方法，通过在现有的检测观察方法中，引入一个芯片级别的偏差概念，通过在缺陷扫描机台中就扫描晶圆上每个芯片的特征电路并记录每个特征电路的坐标和形状，使得在进行后续的利用缺陷观察机台观察缺陷时，能够利用记录的特征电路的坐标和形状直接找到该特征电路，并进行居中，再计算特征电路的偏差值，确定缺陷在缺陷观察机台中的第二缺陷坐标，从而更加方便快捷准确的找到缺陷并拍下该缺陷的形貌，提高了检测效率，进而降低了半导体器件的生产成本，同时能够尽快的找到产生缺陷的原因，进而降低了半导体器件的损失。

主权项

一种检测观察缺陷的方法，应用于一具有缺陷的晶圆上，所述晶圆上分布有若干芯片，每个所述芯片上均具有一相同的特征电路，其特征在于，所述方法包括以下步骤：获取每个所述特征电路的第一电路坐标，及每个所述缺陷的第一缺陷坐标；获取位于每个具有缺陷的芯片上的特征电路的第二电路坐标；将所述第二电路坐标和与具有该第二电路坐标的特征电路的第一电路坐标进行比对，以获取每个具有缺陷的芯片的偏差值；根据所述第一缺陷坐标和与其对应的偏差值，获取每个缺陷的第二缺陷坐标；根据所述第二缺陷坐标依次对每个缺陷进行缺陷样貌观察。