| 发明名称 | 一种生长高介电常数电介质叠层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种生长高介电常数电介质叠层的方法，包括：采用热模式原子层沉积方法在衬底上生长第一层高介电常数电介质；采用等离子增强模式原子层沉积方法在第一层高介电常数电介质上生长第二层高介电常数电介质。本发明利用复合模式原子层沉积的叠层高介电常数电介质，相对于单一模式沉积得到的高介电常数电介质，既避免了衬底表面的离子损伤和界面氧化，又可以避免将器件长时间置于高温反应腔中引起电学性能退化，同时具有表面台阶覆盖好，薄膜厚度可精确控制等优点，并与传统的硅基半导体工艺兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN103311120A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201310217735.5 | 申请日期 | 2013.06.03 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 赵威;刘洪刚;孙兵;常虎东 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种生长高介电常数电介质叠层的方法，其特征在于，包括：采用热模式原子层沉积方法在衬底上生长第一层高介电常数电介质；采用等离子增强模式原子层沉积方法在第一层高介电常数电介质上生长第二层高介电常数电介质。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||