一种GaN基LED以及制造GaN基LED的方法

摘要

本发明提供一种GaN基LED以及制造GaN基LED的方法。该制造GaN基LED的方法包括：（a）在衬底上依次形成n型GaN、多量子阱和p型GaN；（b）在p型GaN上形成透明导电层；（c）对透明导电层、p型GaN和多量子阱的一部分进行台面刻蚀，至露出n型GaN的一部分；（d）在透明导电层和n型GaN的露出的部分上形成氧化物保护层；（e）在未进行台面刻蚀的位置刻蚀氧化物保护层以露出透明导电层的一部分，在进行了台面刻蚀的位置刻蚀氧化物保护层以露出n型GaN的一部分；（g）分别在粗糙表面和所露出的n型GaN的部分上形成p电极和n电极。利用本发明，可以减少掉电极的机率和程度。

主权项

一种制造GaN基LED的制备方法，其特征在于，所述方法包括：（a）在衬底上依次形成n型GaN、多量子阱和p型GaN；（b）在所述p型GaN上形成透明导电层；（c）对所述透明导电层、所述p型GaN和所述多量子阱的一部分进行台面刻蚀，至露出所述n型GaN的一部分；（d）在所述透明导电层和所述n型GaN的露出的部分上形成氧化物保护层；（e）在未进行台面刻蚀的位置刻蚀所述氧化物保护层以露出所述透明导电层的一部分，在进行了台面刻蚀的位置刻蚀所述氧化物保护层以露出所述n型GaN的一部分；（f）在所露出的所述透明导电层的表面上形成粗糙表面；（g）分别在所述粗糙表面和所露出的所述n型GaN的部分上形成p电极和n电极。