一种基于CMOS工艺实现的全硅时钟发生器

摘要

本发明涉及一种基于CMOS工艺实现的全硅时钟发生器，其包括输出端相依次连接的温度补偿电流源、工艺补偿电路、V-I转换电路、环路振荡电路和整形电路，温度稳定电流源用以提供进行温度补偿后的电流；工艺补偿电路用于提供减少CMOS工艺偏差的电压；V-I转换电路用以将经补偿后的电压转换为电流输出；环路振荡电路根据接收的电流大小以产生相应频率的时钟信号；整形电路用以对时钟信号进行整形及分频后输出。本发明采用了温度和工艺补偿电路，保证了CMOS时钟电路具有良好的温度和工艺稳定性，同时具有较强的电源抑制能力，而且电路结构简单，时钟精度高，可作为石英晶体振荡器、陶瓷谐振器等电路的替代品，作为时钟源使用。

主权项

一种基于CMOS工艺实现的全硅时钟发生器，其包括相依次连接的温度补偿电流源、工艺补偿电路、V‑I转换电路、环路振荡电路和整形电路，所述温度补偿电流源用以提供进行温度补偿后的电流；所述的工艺补偿电路用于提供减少CMOS工艺偏差的电压；所述的V‑I转换电路用以将经补偿后的电压转换为电流输出；所述的环路振荡电路根据接收的电流大小以产生相应频率的时钟信号；所述的整形电路用以对时钟信号进行整形及分频后输出；所述的环形振荡器包括至少一个延时单元，所述的延时单元由两镜像连接的MOS管以及与MOS管相电连接的充电电容组成，所述的MOS管包括M1和M2，所述的MOS管M2的栅极与所述的MOS管M1的栅极相连接，所述的M1的漏极与所述的充电电容相电连接。