发明名称 |
一种超低氧铬片的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及超低氧铬片的制备方法,其包括(1)将电解铬片加入到坩埚中,关闭炉门,将炉内环境真空度抽至5.0×10-3Pa或以下,充入1atm纯度大于99.9%的氢气,再将炉内环境真空度抽至5.0×10-3Pa或以下;(2)将炉内环境温度升至500℃~900℃,持续保持环境真空度为5.0×10-3Pa或以下,保温1~2小时;(3)充入氢气,使炉内环境氢气气压为1~50Pa,再将炉内环境温度升至1000℃~1500℃,保温1~10小时,降至室温,即得超低氧铬片,其中持续通入氢气以保持炉内环境气压为1~50Pa。本发明可得氧含量低于500ppm的超低氧铬片,是溅射靶材及特种合金的理想的铬片原料。 |
申请公布号 |
CN102808092B |
申请公布日期 |
2013.09.18 |
申请号 |
CN201210339931.5 |
申请日期 |
2012.09.14 |
申请人 |
苏州晶纯新材料有限公司 |
发明人 |
钟小亮;王广欣;王树森 |
分类号 |
C22B34/32(2006.01)I;C22B5/12(2006.01)I |
主分类号 |
C22B34/32(2006.01)I |
代理机构 |
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 |
代理人 |
汪青 |
主权项 |
一种超低氧铬片的制备方法,其特征在于:所述制备方法以纯度大于等于99.95%的电解铬片为原料,通过氢气还原法制备得到所述超低氧铬片,所述的电解铬片的厚度为0.2~3mm,所述制备方法包括依次进行的下列步骤:(1)、将所述电解铬片加入到还原炉内的氧化铝坩埚中,至电解铬片上表面距离坩埚上边沿10~20mm,停止加料,关闭炉门,将炉内环境真空度抽至5.0×10‑3Pa或以下,充入1atm纯度大于99.9%的氢气,再将炉内环境真空度抽至5.0×10‑3Pa或以下;(2)、按150~250℃/h的升温速率将炉内环境温度升至500℃~900℃,持续保持环境真空度为5.0×10‑3Pa或以下,在500~900℃下保温1~2小时;(3)、充入纯度大于99.9%的氢气,使炉内环境氢气气压为1~50Pa,再按50~200℃/h的升温速率将炉内环境温度升至1100℃~1300℃,升温结束后,保温1~10小时,然后以200~300℃/h的降温速率降温至室温,即得氧含量低于500ppm的超低氧铬片,其中在所述升温、保温和降温的过程中,均持续通入氢气,以保持炉内环境气压为5~15Pa。 |
地址 |
215600 江苏省苏州市张家港市国泰北路1号留学生创业园D-102 |