| 发明名称 | 一种集成功率晶体管的金属布局结构 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种集成功率晶体管的金属布局结构。所述集成功率晶体管的金属布局结构包括：第一金属层，第二金属层和第三金属层，其中所述第一金属层通过通孔连接至第二金属层；所述第二金属层通过超级通孔连接至第三金属层。本申请公开的集成功率晶体管的金属布局结构减小了金属连接阻抗，提高了系统性能。 | ||
| 申请公布号 | CN203205413U | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201220719696.X | 申请日期 | 2012.12.24 |
| 申请人 | 成都芯源系统有限公司 | 发明人 | 徐鹏 |
| 分类号 | H01L23/528(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/528(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种集成功率晶体管的金属布局结构，其特征在于，所述集成功率晶体管的金属布局结构包括： 第一金属层，第二金属层和第三金属层，其中 所述第一金属层通过通孔连接至第二金属层； 所述第二金属层通过超级通孔连接至第三金属层。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新西区出口加工区（西区）科新路8号 | ||