| 发明名称 | 具有采用双极存储元件的存储单元的多级存储器阵列及其形成方法 | ||
| 摘要 | 提供一种存储器阵列，包括第一存储单元（200-1）和第二存储单元（200-2），其中第一存储单元（200-1）具有第一导线（202a）、形成在第一导线之上的第一双极存储元件（102-1）、以及形成在第一双极存储元件之上的第二导线（302）；第二存储单元（200-2）形成在第一存储单元之上并且具有形成在第二导线之上的第二双极存储元件（102-2）、以及形成在第二双极存储元件之上的第三导线（202b）。第一和第二存储单元共享第二导线（302）；第一双极存储元件（102-1）在第一存储单元内具有第一存储元件极性取向；第二双极存储元件（102-2）在第二存储单元内具有第二存储元件极性取向；并且第二存储元件极性取向与第一存储元件极性取向相反。 | ||
| 申请公布号 | CN103314442A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201180060113.5 | 申请日期 | 2011.10.06 |
| 申请人 | 桑迪士克3D有限责任公司 | 发明人 | Y-T.陈;A.米尼;R.E.舒尔莱恩;L.法索利 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 黄小临 |
| 主权项 | 一种存储器阵列，包括：第一存储单元，该第一存储单元具有：第一导线；第一双极存储元件，形成在该第一导线之上；以及第二导线，形成在该第一双极存储元件之上；以及第二存储单元，形成在该第一存储单元之上，并且该第二存储单元具有：第二双极存储元件，形成在该第二导线之上；以及第三导线，形成在该第二双极存储元件之上；其中该第一存储单元和该第二存储单元共享该第二导线；其中该第一双极存储元件在该第一存储单元内具有第一存储元件极性取向；其中该第二双极存储元件在该第二存储单元内具有第二存储元件极性取向；并且其中该第二存储元件极性取向与该第一存储元件极性取向相反。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||