| 发明名称 | 用于SRAM电路的结构和方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供在半导体衬底中形成的集成电路。集成电路包括：具有第一单元尺寸的第一静态随机存取存储器(SRAM)单元；以及具有大于第一单元尺寸的第二单元尺寸的第二SRAM单元。第一SRMA单元包括第一n型场效应晶体管(nFET)，每一个都具有第一栅叠层。第二SRAM单元包括第二nFET，每一个都具有不同于第一栅叠层的第二栅叠层。本发明还提供了用于SRAM电路的结构和方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103310834A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201310002598.3 | 申请日期 | 2013.01.05 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 廖忠志 |
| 分类号 | G11C11/413(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种在半导体衬底中形成的集成电路，包括：第一静态随机存取存储器(SRAM)单元，具有第一单元尺寸；以及第二SRAM单元，具有第二单元尺寸，所述第二单元尺寸大于所述第一单元尺寸，其中：所述第一SRAM单元包括每一个均具有第一栅叠层的第一n型场效应晶体管(nFET)，以及所述第二SRAM单元包括每一个均具有第二栅叠层的第二nFET，所述第二栅叠层不同于所述第一栅叠层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||