| 发明名称 | 一种氮化镓基发光二极管外延片MQS发光层 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片MQS发光层，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、MQW发光层（4）以及P型GaN层（5），其特征在于：所述MQW发光层（4）包括GaN超晶格层（41）、InGaN超晶格层（42）,所述GaN超晶格层（41）厚度为11nm,InGaN超晶格层（42）厚度为3nm，该技术方案有效解决传统外延片的MQS发光层在生长过程中的厚度问题，导致发光二极管的亮度通常较低。 | ||
| 申请公布号 | CN103311390A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201310246068.3 | 申请日期 | 2013.06.20 |
| 申请人 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 | 发明人 | 芦玲;张向飞;钱仁海;刘坚 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人 | 谢观素 |
| 主权项 | 一种氮化镓基发光二极管外延片MQS发光层，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、MQW发光层（4）以及P型GaN层（5），其特征在于：所述MQW发光层（4）包括GaN超晶格层（41）、InGaN超晶格层（42）, 所述GaN超晶格层（41）厚度为11nm,InGaN超晶格层（42）厚度为3nm。 | ||
| 地址 | 223000 江苏省淮安市清河新区景秀路6号 | ||