半导体器件

摘要

本发明提供兼具提高RC－IGBT中的二极管的恢复特性和维持欧姆接触性的半导体器件。实施方式的半导体器件具备：基板，由第1导电型半导体构成；基极层，设置在所述基板的一面侧，由第2导电型半导体构成；正极层，在所述基极层的一部分的区域中使杂质总量增加而成；IGBT区域，形成于所述基极层；二极管区域，形成于所述正极层；沟槽，从所述IGBT区域及所述二极管区域的表面侧到达所述基板，且所述二极管区域中的占有面积不同于所述IGBT区域中的占有面积；漏极层，与所述IGBT区域相对置，设置在所述基板的另一面侧，由第2导电型半导体构成；及负极层，与所述二极管区域相对置，与所述漏极层邻接，由第1导电型半导体构成。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，具有：基板，由第1导电型半导体构成；基极层，设置在所述基板的一面侧，由第2导电型半导体构成；正极层，在所述基极层的一部分的区域中使杂质总量增加而成；IGBT区域，形成于所述基极层；二极管区域，与所述IGBT区域邻接，并形成于所述正极层；沟槽，被设置成从所述IGBT区域及所述二极管区域的表面侧到达所述基板，且所述二极管区域中的占有面积不同于所述IGBT区域中的占有面积；漏极层，与所述IGBT区域相对置，设置在所述基板的另一面侧，由第2导电型半导体构成；及负极层，与所述二极管区域相对置，与所述漏极层邻接设置，由第1导电型半导体构成。