发明名称 电阻式记忆体电路参数调整之系统及方法
摘要 本揭示案揭示电阻式记忆体电路参数调整之系统及方法。在一特定实施例中,判定一电阻式记忆体电路之一组参数之一方法包括基于该电阻式记忆体电路之一第一预定设计约束选择一第一参数及基于该电阻式记忆体电路之一第二预定设计约束选择一第二参数。该方法进一步包括执行一反覆方法以藉由选择性地指派且调整该电阻式记忆体电路之一感测放大器部分之至少一电路参数之一物理特性以达成一所欲之感测放大器裕度值而不改变该第一参数或该第二参数来调整该至少一电路参数。
申请公布号 TWI408685 申请公布日期 2013.09.11
申请号 TW098111716 申请日期 2009.04.08
申请人 高通公司 美国 发明人 金圣克;金吉恕;宋哲焕;康森H;杨赛森
分类号 G11C13/00;G11C11/15 主分类号 G11C13/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国