锗硅HBT工艺中的横向型寄生PNP器件

摘要

本发明公开了一种锗硅HBT工艺中的横向型寄生PNP器件，形成于P型硅衬底上的N型深阱中。基区形成于第一有源区中，集电区形成于第一有源区左右两侧的第一邻近有源区中，基区和集电区都延伸到各相邻的浅槽场氧底部中并在两者之间的浅槽场氧底部形成接触。在集电区外侧的浅槽场氧底部形成有N型赝埋层，N型赝埋层和集电区相隔一横向距离、通过N型深阱和基区相连接，通过在N型赝埋层顶部的浅槽场氧中形成的深孔接触引出基极。形成于基区顶部的P型锗硅外延层组成发射区。本发明能用作高速、高增益HBT电路中的输出器件，无须额外的工艺条件即可实现为电路提供多一种器件选择，能有效缩小器件面积、提高器件的性能。

主权项

一种锗硅HBT工艺中的横向型寄生PNP器件，形成于P型硅衬底上的N型深阱中，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，所述横向型寄生PNP器件包括：一基区，由形成于第一有源区中的N型离子注入区组成，所述基区的纵向深度大于所述浅槽场氧底部的深度，所述基区的底部在横向上延伸进入第一邻近浅槽场氧的底部，所述第一邻近浅槽场氧为位于所述第一有源区左右两侧并和所述第一有源区相邻接的所述浅槽场氧；一集电区，由形成于第一邻近有源区中的P阱组成，所述第一邻近有源区为位于所述第一有源区的左右两侧并和所述第一有源区隔离有所述第一邻近浅槽场氧的有源区；所述集电区的纵向深度大于所述浅槽场氧底部的深度，所述集电区的底部在横向上延伸进入所述集电区左右两侧的所述浅槽场氧的底部，所述集电区和所述基区在所述第一邻近浅槽场氧底部形成接触；通过形成于所述集电区顶部的金属接触引出集电极；一发射区，由形成于所述第一有源区上的一P型锗硅外延层组成，所述发射区和所述基区形成接触并通过形成于所述发射区顶部的金属接触引出发射极；一N型赝埋层，由形成于第二邻近浅槽场氧底部的N型离子注入区组成，所述第二邻近浅槽场氧为位于所述第一有源区左右两侧并和所述第一有源区隔离有所述第一邻近浅槽场氧和所述第一邻近有源区；所述N型赝埋层和所述集电区相隔一横向距离；所述N型赝埋层通过所述N型深阱和所述基区相连接，通过在所述N型赝埋层顶部的所述第二邻近浅槽场氧中 形成的深孔接触引出基极。