多晶硅锭的制造方法

摘要

本发明实施例公开了一种多晶硅锭及其制造方法、生长炉及其底板太阳能电池，该方法包括：在多晶硅锭生长炉内的容器底部铺设籽晶，形成籽晶层，位于容器下方的底板上具有多道相互交叉的凹槽，凹槽与容器内部的籽晶与籽晶间的缝隙位于同一竖直面上；将固态的硅原料装载到籽晶层的上方；熔化硅原料和部分所述籽晶层，形成液体层，在部分籽晶层熔化过程中，在底板上的凹槽处通入惰性气体，至少保持与容器底部接触的部分籽晶层为固态；控制多晶硅锭生长炉内的热场，对液体层进行结晶，直至多晶硅锭生长完成。本发明铸造出的多晶硅锭包括大部分单晶硅区域，且降低了多晶硅锭中的晶界密度，采用该多晶硅锭生产出的太阳能电池的光电转换效率提高了。

主权项

一种多晶硅锭的制造方法，其特征在于，包括：在多晶硅锭生长炉内的容器底部铺设籽晶，形成籽晶层，在所述多晶硅锭生长炉内，位于所述容器下方的底板上具有多道相互交叉的凹槽，所述凹槽与容器内部的籽晶与籽晶间的缝隙位于同一竖直面上；将固态的硅原料装载到所述籽晶层的上方；对所述容器进行加热，熔化所述硅原料和部分所述籽晶层，以形成液体层，且在部分所述籽晶层熔化过程中，在所述底板上的凹槽处通入惰性气体，至少保持与所述容器底部接触的部分籽晶层为固态；控制所述多晶硅锭生长炉内的热场，对所述液体层进行结晶，以使固液界面向远离所述容器底部的方向移动，直至多晶硅锭生长完成。