掘井引流式二极管元件或二极管组件及其制造方法

摘要

一种掘井引流式(Well-through Type)二极管元件或二极管组件的制造方法，利用掘井方式穿过PN接面空乏/能障区后，利用金属化制作过程将二极管元件或二极管组件的两极建构在同一面上，并引导其中一极的电子无障碍地流经空乏/能障区；此外，本发明直接在晶片状态下做绝缘保护、金属化、长焊球等作业，即可完成独立元件或二极管组件的晶粒尺寸级封装(CSP)新技术。具有：晶粒就是成品、无接线、低耗能、低成本、轻薄短小等特色，能够有效满足未来趋势及应用的需求。本方法可适用在所有二极管元件以及由该多个二极管元件所延伸运用的相关二极管组件，例如：全波整流器、阵列式整流器等等。

主权项

一种掘井引流式二极管元件或二极管组件的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：(A)将已完成扩散、氧化层或离子布植的硅晶圆片顶面预设各二极管元件或二极管组件的第一电极位置和第二电极位置，并且在各第一电极四周设置绝缘体或保护环来绝缘保护，针对各第二电极则分别挖掘一引流井，令各引流井直接穿过硅晶圆片顶层与硅晶圆片底层之间的P、N接面空乏区或能障区；(B)利用导电物质对硅晶圆片上各二极管元件或二极管组件的第一电极表面和第二电极表面以及引流井金属化，使硅晶圆片底层分别与各二极管元件或二极管组件的第二电极导通；(C)对硅晶圆片进行切割，以使硅晶圆片上的各二极管元件或二极管组件彼此分离。