| 发明名称 | 可调谐MEMS装置和可调谐MEMS装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了可调谐MEMS装置和可调谐MEMS装置的制造方法。根据本发明的实施方式，半导体装置包括基板、可移动电极和对电极。可移动电极或对电极包括第一区域和第二区域，其中该第一区域与第二区域隔离开，其中该第一区域被配置为被调谐，其中第二区域被配置为提供感测信号或控制系统，以及其中该可移动电极和该对电极机械地连接至该基板。 | ||
| 申请公布号 | CN103288040A | 申请公布日期 | 2013.09.11 |
| 申请号 | CN201310064505.X | 申请日期 | 2013.02.28 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | 阿尔方斯·德赫;克里斯蒂安·赫聚姆;沃尔夫冈·克莱因;马丁·乌策;斯特凡·巴泽恩 |
| 分类号 | B81B7/02(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;H04R19/04(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：基板；可移动电极；以及对电极，其中，所述可移动电极或所述对电极包括第一区域和第二区域，其中，所述第一区域与所述第二区域隔离，其中，所述第一区域被配置为被调谐，其中，所述第二区域被配置为提供感测信号或控制系统，以及其中，所述可移动电极和所述对电极机械地连接到所述基板。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市 | ||