一种半导体装置

摘要

本发明公开了一种适用于相当高的电压施加的半导体装置，包括：一衬底；一第一N型阱区域，位于衬底中，用以作为供半导体装置用的一高电压n阱；一对第二N型阱区域，位于第一N型阱区域中；一P型区域，位于此对第二N型阱区域之间的第一N型阱区域中；一对导电区域，位于此对第二N型阱区域之间的衬底上；以及多个N型区域，用以作为供半导体装置用的N型埋入层(NBL)，其中NBL位于第一N型区域的下方并被分散在衬底中。

主权项

一种适用于相当高的电压施加的半导体装置，其特征在于，包括：一衬底；一第一N型阱区域，位于该衬底中，用以作为供该半导体装置用的一高电压n阱HVNW；一对第二N型阱区域，位于该第一N型阱区域中；一P型区域，位于该对第二N型阱区域之间的该第一N型阱区域中；一对导电区域，位于该对第二N型阱区域之间的该衬底上；以及多个N型区域，用以作为供该半导体装置用的多个N型埋入层NBL，其中该多个NBL位于该第一N型阱区域的下方并被分散在该衬底中；其中，该多个NBL包括：多个第一NBL，位于该P型区域之下；多个第二NBL，位于在该P型区域与各该第二N型阱区域之间的一区域之下；以及多个第三NBL，位于该第一N型阱区域的该周边与各该第二N型阱区域之间的一区域之下。