发明名称 装置、方法以及反应腔室
摘要 本发明涉及一种装置、方法、反应腔室和反应腔室的应用,基板的表面通过使基板的表面经受至少第一前驱物和第二前驱物的相继表面反应来进行处理。该装置包括:真空腔室;可拆卸的反应腔室,所述反应腔室布置为安装在真空腔室内部,并且基板在处理期间定位在反应腔室内部;以及前驱物系统,所述前驱物系统用于将至少第一前驱物和第二前驱物供给到反应腔室中以及用于将至少第一前驱物和第二前驱物从反应腔室排出。根据本发明,反应腔室被设置为气密容器。
申请公布号 CN103298974A 申请公布日期 2013.09.11
申请号 CN201280004806.7 申请日期 2012.01.24
申请人 BENEQ有限公司 发明人 M·瑟德隆德;P·索伊尼宁;J·毛拉
分类号 C23C16/455(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/677(2006.01)I 主分类号 C23C16/455(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 王会卿
主权项 一种用于处理基板(20)的表面的装置,该基板的表面通过使基板(20)的表面经受至少第一前驱物和第二前驱物的相继表面反应来进行处理,所述装置包括:‑可拆卸的反应腔室(4),基板(20)在处理期间定位于反应腔室内部;以及‑前驱物系统(18),所述前驱物系统用于将至少第一前驱物和第二前驱物供给到反应腔室(4)中,以及用于将至少第一前驱物和第二前驱物从反应腔室(4)排出,其特征在于,反应腔室(4)设置为容器,所述容器布置为以气密方式能密封。
地址 芬兰万塔