发明名称 |
一种含有孔隙结构C/SiC涂层及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种含有孔隙结构C/SiC涂层及其制备方法,所制备的C/SiC涂层材料与基体结合紧密,分为典型的三区结构:界面结合区、孔隙过渡区和外层致密区,涂层的致密外层和界面层之间的区域分布许多直径在3-20μm的孔隙。本发明的制备工艺是在自行设计的“狭缝式”沉积室内,控制狭缝尺寸在2-8mm,以MTS作为SiC源气体,以H2作为MTS的载气,H2和Ar作调节气体,制备含直径在3-20μm孔隙结构的C/SiC涂层。大流量负压快速沉积工艺,利用反应气体迅速通过狭缝气道沉积。本发明制备的含有孔隙结构C/SiC涂层提高涂层和基体材料结合强度,极大程度上缓解了由于热应力引起的涂层裂纹,大大改善了涂层的使用性能。同时克服了普通工艺气相制备涂层周期长、尺寸受限的问题。 |
申请公布号 |
CN103290386A |
申请公布日期 |
2013.09.11 |
申请号 |
CN201310229037.7 |
申请日期 |
2013.06.09 |
申请人 |
中南大学 |
发明人 |
张明瑜;黄东;黄启忠;苏哲安;谢志勇;陈建勋 |
分类号 |
C23C16/32(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/32(2006.01)I |
代理机构 |
中南大学专利中心 43200 |
代理人 |
胡燕瑜 |
主权项 |
一种含有孔隙结构C/SiC涂层,其特征在于:涂层由基体材料至涂层方向分为三区域:界面结合区、孔隙过渡区和外层致密区,界面结合区位于基体材料表面附近,厚度在10‑30μm之间,涂层和基体材料界面兼容性良好,结合紧密,SiC涂层渗入基体材料表面,存在明显的基体到SiC涂层的成分梯度;孔隙过渡区位于界面结合区和外部致密区之间,厚度在20‑100μm之间,孔隙过渡区分布许多直径在3‑20μm的孔隙。 |
地址 |
410083 湖南省长沙市岳麓区左家垅麓山南路932号 |