发明名称 有机-二维晶体-无机杂化的异质结太阳能电池器件及其制备方法
摘要 本发明公开了一种有机-二维晶体-无机杂化的异质结太阳能电池器件及其制备方法,太阳能电池器件从下至上依次包括金属背电极、n型硅基衬底、共轭有机物与二维层状纳米晶体材料均匀混合的有机共轭薄膜、以及金属栅电极。本发明在硅基衬底的表面旋涂二维层状纳米晶体材料与共轭有机物的混合溶液,或者直接分别依次旋涂不同浓度的二维层状纳米晶体材料与共轭有机物到硅基衬底的表面作为空穴传输层,通过对有机-无机物杂化异质结的修饰改性提高电池的稳定性,增强了太阳能电池的电荷传输能力,对表面态密度缺陷进行有效的改善,操作简单易于工业化生产。
申请公布号 CN103296211A 申请公布日期 2013.09.11
申请号 CN201310178647.9 申请日期 2013.05.14
申请人 苏州大学 发明人 张杰;孙宝全;鲍桥梁
分类号 H01L51/44(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I 主分类号 H01L51/44(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 常亮
主权项 一种有机‑二维晶体‑无机杂化的异质结太阳能电池器件,其特征在于,所述太阳能电池器件从下至上依次包括金属背电极、n型硅基衬底、共轭有机物与二维层状纳米晶体材料均匀混合的有机共轭薄膜、以及金属栅电极,其中:所述金属背电极与n型硅基衬底形成欧姆接触,金属背电极收集电子并引出电极,作为太阳能电池的阴极;所述金属栅电极收集空穴并引出电极,作为太阳能电池的阳极;所述n型硅基衬底作为太阳能电池的基区,n型硅基衬底为电子传输层;所述有机共轭薄膜与n型硅基衬底形成有机‑二维晶体‑无机杂化异质结,产生光伏效应并将空穴传输到阳极,共轭有机物为空穴传输层。
地址 215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号