| 发明名称 | 包含多个磁畴的磁性隧道结单元 | ||
| 摘要 | 在特定实施例中，揭示一种磁性隧道结(MTJ)结构(100)，其包含MTJ单元，所述MTJ单元具有大体上垂直于衬底(490)的表面延伸的多个侧壁(110、112、114)。所述多个侧壁中的每一者包含用以携载唯一磁畴的自由层(106)。所述唯一磁畴中的每一者适于存储数字值。 | ||
| 申请公布号 | CN101965615B | 申请公布日期 | 2013.09.11 |
| 申请号 | CN200980107087.X | 申请日期 | 2009.01.28 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 李霞 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种磁性隧道结(MTJ)结构，其包括：MTJ单元，其包括大体上垂直于衬底的表面延伸的多个侧壁以及耦合到所述多个侧壁中的每一者的底部壁，所述多个侧壁中的每一者包含用以携载唯一磁畴的自由层，所述唯一磁畴中的每一者适于存储数字值。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||