透明导电性薄膜及其制造方法

摘要

本发明的目的在于，提供在透明基材上形成有由低电阻的In·Sn复合氧化物（ITO）构成的透明导电层的透明导电性薄膜及其制造方法。本发明的透明导电性薄膜在透明基材上具有由In·Sn复合氧化物构成的透明导电层，透明基材的形成透明导电层侧的表面的算术平均粗糙度Ra为1.0nm以下，透明导电层中的Sn原子的量相对于将In原子和Sn原子相加得到的重量超过6重量%且为15重量%以下，所述透明导电层的霍尔迁移率为10～35cm2/V·s，载流子密度为6×1020～15×1020/cm3。该透明导电性薄膜可通过如下方法来得到，即，在水分压小的气氛下、在基材温度超过100℃且为200℃以下的条件下对非晶质透明导电层进行溅射制膜，并对非晶质透明导电层进行加热而转化为结晶性透明导电层。

主权项

一种透明导电性薄膜的制造方法，其具有：准备透明基材的基材准备工序、和在所述透明基材上对由In·Sn复合氧化物构成的透明导电层进行溅射制膜的制膜工序，所述透明基材的形成透明导电层侧的面的算术平均粗糙度Ra为1.0nm以下，在所述制膜工序中，使用Sn原子的量相对于将In原子和Sn原子相加得到的重量超过6重量%且为15重量%以下的金属靶或氧化物靶，在水分压相对于氩气分压为0.1%以下的气氛下、在基材温度超过100℃且为200℃以下的条件下进行溅射制膜，由此形成由In·Sn复合氧化物构成的非晶质透明导电层。