发明名称 用于连接半导体装置的高纯度铜细线
摘要 通过制备使其截面组织成为双重组织的高纯度铜细线,铜细线的机械强度增加,并因此提供亚毫米直径的高纯度铜细线,其最适用于在短时间内反复进行多次开/关操作的高温功率半导体。本发明涉及具有氧化物膜并且由纯度为99.999至99.99994质量%的铜制成的高纯度铜细线;该铜细线具有这样的截面组织,其中,10颗最大的晶粒共同地具有占截面组织总面积的5-25%的晶粒面积,且此晶粒面积的80%以上在相对于表面层的内侧,所述表面层被定义为具有细线直径的1/20以下的厚度;该高纯铜细线通过连续拉拔制成,并用于连接半导体装置。
申请公布号 CN103283009A 申请公布日期 2013.09.04
申请号 CN201280002217.5 申请日期 2012.10.18
申请人 田中电子工业株式会社 发明人 三上道孝;合濑昌章;中岛伸一郎;三村利孝;弥永幸弘;市川司;高田晃
分类号 H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 李新红
主权项 一种连续拉拔的高纯度铜细线,所述铜细线被氧化物膜包覆,具有99.999质量%‑99.99994质量%的纯度,具有不小于0.01mm但小于1mm的细线直径,且用于连接半导体装置,其中,所述细线具有这样的截面组织:最大的10颗晶粒具有占据所述截面组织总面积的5‑25%的总晶粒面积,并且所述晶粒面积的80%以上在相对于表面层的内侧,所述表面层被定义为具有所述细线直径的1/20以下的厚度。
地址 日本东京都
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