发明名称 一种具有MIS电容结构的表面等离子体激元波导
摘要 本发明是一种具有MIS电容结构的表面等离子体激元波导,它由自上而下排列的金属层(1)、绝缘材料层(2)、掺杂半导体层(3)和衬底(4)构成,所述衬底通过引线接地,金属层通过引线接外电压;在适当电压下,从掺杂半导体层(3)与绝缘材料层(2)的界面到掺杂半导体层(3)内部出现复介电函数实部εr从负到正的变化,εr为负的区域具有类似金属的特性,掺杂半导体层(3)与绝缘材料层(2)的界面上,以及正、负εr的交界面上均可支持SPP模式,后者与金属层(1)与绝缘材料层(2)界面支持的SPP模式耦合形成混合SPP模式。本发明利用半导体的可控性来实现简便、高效的SPP波调控和解决光场限制与损耗之间的矛盾。
申请公布号 CN103278884A 申请公布日期 2013.09.04
申请号 CN201310090333.3 申请日期 2013.03.20
申请人 华中科技大学 发明人 李洵;洪伟
分类号 G02B6/122(2006.01)I;B82Y20/00(2011.01)I 主分类号 G02B6/122(2006.01)I
代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人 王守仁
主权项 一种表面等离子体激元波导,其特征是一种具有MIS电容结构的表面等离子体激元波导,该波导由自上而下排列的金属层(1)、绝缘材料层(2)、掺杂半导体层(3)和衬底(4)构成,其中衬底(4)通过引线接地,金属层(1)通过引线接外电压。
地址 430074 湖北武昌珞喻路1037号华中科技大学电子与信息工程系
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