发明名称 |
一种具有MIS电容结构的表面等离子体激元波导 |
摘要 |
本发明是一种具有MIS电容结构的表面等离子体激元波导,它由自上而下排列的金属层(1)、绝缘材料层(2)、掺杂半导体层(3)和衬底(4)构成,所述衬底通过引线接地,金属层通过引线接外电压;在适当电压下,从掺杂半导体层(3)与绝缘材料层(2)的界面到掺杂半导体层(3)内部出现复介电函数实部εr从负到正的变化,εr为负的区域具有类似金属的特性,掺杂半导体层(3)与绝缘材料层(2)的界面上,以及正、负εr的交界面上均可支持SPP模式,后者与金属层(1)与绝缘材料层(2)界面支持的SPP模式耦合形成混合SPP模式。本发明利用半导体的可控性来实现简便、高效的SPP波调控和解决光场限制与损耗之间的矛盾。 |
申请公布号 |
CN103278884A |
申请公布日期 |
2013.09.04 |
申请号 |
CN201310090333.3 |
申请日期 |
2013.03.20 |
申请人 |
华中科技大学 |
发明人 |
李洵;洪伟 |
分类号 |
G02B6/122(2006.01)I;B82Y20/00(2011.01)I |
主分类号 |
G02B6/122(2006.01)I |
代理机构 |
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 |
代理人 |
王守仁 |
主权项 |
一种表面等离子体激元波导,其特征是一种具有MIS电容结构的表面等离子体激元波导,该波导由自上而下排列的金属层(1)、绝缘材料层(2)、掺杂半导体层(3)和衬底(4)构成,其中衬底(4)通过引线接地,金属层(1)通过引线接外电压。 |
地址 |
430074 湖北武昌珞喻路1037号华中科技大学电子与信息工程系 |