| 发明名称 | 高电源电压抑制比无电容低压差电压调节器 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种高电源电压抑制比无电容低压差调节器，包括误差放大器、输出级PMOS管、第一补偿电容、第一电阻及第二电阻，在误差放大器的电源电压和输出级之间引入一个增益为-1的信号通路以抵消输出级的负面影响，从而获得高电源电压抑制比，通过本发明，获得了理想的高电源电压抑制比。 | ||
| 申请公布号 | CN103279163A | 申请公布日期 | 2013.09.04 |
| 申请号 | CN201310217394.1 | 申请日期 | 2013.06.03 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 徐光磊 |
| 分类号 | G05F1/56(2006.01)I | 主分类号 | G05F1/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种高电源电压抑制比无电容低压差调节器，包括误差放大器、输出级PMOS管、第一补偿电容、第一电阻及第二电阻，其特征在于：在误差放大器的电源电压和输出级之间引入一个增益为‑1的信号通路以抵消输出级的负面影响，从而获得高电源电压抑制比。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||