发明名称 |
一种提前大花萱草上市时间的全膜覆盖育苗方法 |
摘要 |
本发明涉及一种大花萱草育苗技术,特别涉及一种可提前大花萱草上市时间的种植技术,其包括下述操作步骤:步骤一:土地上冻前,将2年生萱草苗的地块浇透冻水,3~4天后,以地膜覆盖整畦;步骤二:苗高2.5~3.5cm时,在畦两边的地膜上各开2个放风口;步骤三:当外界气温升高至10±2℃时,逐渐增加放风口的长度和高度;步骤四:苗高7.5~12cm时,揭开覆盖的地膜;步骤五:全光照0~4天后起苗上市。与现有技术相比,本发明具有节水、提前了大花萱草的上市时间并增加经济效益的优势。 |
申请公布号 |
CN103270882A |
申请公布日期 |
2013.09.04 |
申请号 |
CN201310225508.7 |
申请日期 |
2013.06.07 |
申请人 |
河北省林业科学研究院 |
发明人 |
尹新彦;储博彦;赵玉芬;张全锋;李金霞;朱玉菲;李宁 |
分类号 |
A01G1/00(2006.01)I |
主分类号 |
A01G1/00(2006.01)I |
代理机构 |
石家庄新世纪专利商标事务所有限公司 13100 |
代理人 |
张素静;董金国 |
主权项 |
一种提前大花萱草上市时间的全膜覆盖育苗方法,其特征在于其包括下述操作步骤:步骤一:土地上冻前,将2年生萱草苗的地块浇透冻水, 3~4天后,以地膜覆盖整畦;步骤二:苗高2.5~3.5cm时,在畦两边的地膜上各开2个放风口;步骤三:当外界气温升高至10±2℃时,逐渐增加放风口的长度和高度;步骤四:苗高7.5~12cm时,揭开覆盖的地膜; 步骤五:全光照0~4天后起苗上市。 |
地址 |
050061 河北省石家庄市学府路75号 |