发明名称 |
具有位于存储元件之间的可单独控制的屏蔽板的非易失性存储装置 |
摘要 |
一种具有存储元件之间的可单独控制的屏蔽板的非易失性存储装置。屏蔽板通过在存储元件和它们的相关字线之间沉积诸如掺杂的多晶硅的导电材料以及提供用于屏蔽板的触点而形成。屏蔽板降低了存储元件的浮置栅极之间的电磁耦合,并可用于优化编程、读取和擦除操作。在一种方式中,屏蔽板在感测操作期间提供NAND串中的存储元件之间的场感应导电性,使得衬底中无需源极/漏极植入。在一些控制方案中,交替的高电压和低电压被施加到屏蔽板。在其他控制方案中,共同的电压被施加到屏蔽板。 |
申请公布号 |
CN101711413B |
申请公布日期 |
2013.09.04 |
申请号 |
CN200880021966.6 |
申请日期 |
2008.06.24 |
申请人 |
桑迪士克科技股份有限公司 |
发明人 |
东谷政昭 |
分类号 |
G11C16/00(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
黄小临 |
主权项 |
一种操作非易失性存储装置的方法,包括:将编程电压施加到多个字线中的所选字线,所述多个字线与相关联的多个非易失性存储元件通信;以及在施加所述编程电压期间,将电压耦接到多个屏蔽板中的每个屏蔽板,每个屏蔽板是导电的并可独立控制,并在与相邻字线相关联的不同的相邻非易失性存储元件之间延伸,其中所述电压被独立地耦接到每个屏蔽板。 |
地址 |
美国得克萨斯州 |