根据鳍片FET工艺制造电阻器的结构和方法

摘要

形成包括第一和至少第二鳍片结构的结构。所述第一和至少第二鳍片结构中的每一者具有垂直定向的半导体主体。所述垂直定向的半导体主体由垂直表面构成。位于所述第一和至少第二鳍片结构中的每一者中的掺杂区由位于所述半导体主体中用以形成第一电阻器和至少第二电阻器的浓度的掺杂剂离子构成，以及一对合并鳍片形成在所述第一和至少第二鳍片结构的所述掺杂区的外部部分上。所述一对合并鳍片被电连接，以便所述第一和至少第二电阻器相互并联电连接。

主权项

一种结构，包括：第一和至少第二鳍片结构，所述第一和至少第二鳍片结构中的每一者具有垂直定向的半导体主体，所述垂直定向的半导体主体包括垂直表面；位于所述第一和至少第二鳍片结构中的每一者中的掺杂区，其包括位于所述半导体主体中用以形成第一电阻器和至少第二电阻器的浓度的掺杂剂离子；以及在所述第一和至少第二鳍片结构的所述掺杂区的外部部分上形成一对合并鳍片，所述一对合并鳍片被电连接，以便所述第一和至少第二电阻器相互并联电连接。