发明名称 |
高功率因数的LED驱动电路 |
摘要 |
一种高功率因数的LED驱动电路,包括:一交流电源;一整流桥,其输入端与交流电源连接,输出端接地;一恒流源,其一端与整流桥的另一输出端连接;至少两个以上的LED组的LED串,其LED组为串联、并联或串并联,该LED串为串联,该LED串的正极与恒流源的另一端连接;一串联的反馈电阻串,其一端与LED串的负极连接,另一端接地;多个n沟道耗尽型半导体器件,每一n沟道耗尽型半导体器件的D端与相对应的两LED组之间连接,S端与LED串的负极连接,G端与反馈电阻串中的相对应的反馈电阻连接。 |
申请公布号 |
CN103281840A |
申请公布日期 |
2013.09.04 |
申请号 |
CN201310229330.3 |
申请日期 |
2013.06.09 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
赵勇兵;田婷;詹腾;郭金霞;杨华;李璟;伊晓燕;王国宏;李晋闽 |
分类号 |
H05B37/02(2006.01)I |
主分类号 |
H05B37/02(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
一种高功率因数的LED驱动电路,包括:一交流电源;一整流桥,其输入端与交流电源连接,输出端接地;一恒流源,其一端与整流桥的另一输出端连接;至少两个以上的LED组的LED串,其LED组为串联、并联或串并联,该LED串为串联,该LED串的正极与恒流源的另一端连接;一串联的反馈电阻串,其一端与LED串的负极连接,另一端接地;多个n沟道耗尽型半导体器件,每一n沟道耗尽型半导体器件的D端与相对应的两LED组之间连接,S端与LED串的负极连接,G端与反馈电阻串中的相对应的反馈电阻连接。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |