光刻套刻方法以及光刻方法

摘要

本发明提供了一种光刻套刻方法以及光刻方法。根据本发明的光刻套刻方法包括：第一步骤，用于建立先前的光罩叠层的透光模型；第二步骤，用于建立当前层光罩的透光模型；第三步骤，用于根据先前的光罩叠层的透光模型及当前层光罩的透光模型建立总透光模型；以及第四步骤，用于根据总透光模型确定参考图标的明暗对比度。根据本发明，仅仅需要根据之前的光罩的透光模型以及当前层光罩的透光模型就可以确定总的透光模型，并根据总的透光模型确定参考图标的明暗对比度，对于光刻工艺的套刻测量来说，不需要在实际的晶圆上进行处理，也不需要跑过相同制程的晶圆的图像，即可得到参考图标的明暗对比度，简化了套刻制程，并且提高了套刻精度。

主权项

一种光刻套刻方法，其特征在于包括：第一步骤，用于建立先前的光罩叠层的透光模型；第二步骤，用于建立当前层光罩的透光模型；第三步骤，用于根据先前的光罩叠层的透光模型及当前层光罩的透光模型建立总透光模型；以及第四步骤，用于根据总透光模型确定参考图标的明暗对比度；其中先前的光罩叠层的透光模型由函数Tfs＝(N1，K1；N2，K2；......；Nm，Km)、Tfs＝(N1，N2，......Nm)和Tfs＝(K1，K2，......Km)之一表示，其中m表示先前的光罩叠层中包含的光罩层数，参数Ni(i＝1......m)是表示相应光罩层的折射率的参数，参数Ki(i＝1......m)是表示相应光罩层的光吸收系数的参数，当前层光罩的透光模型由函数Tms＝(N，K)表示，N表示当前光罩的折射率的第一参数，K表示当前光罩的光吸收系数的第二参数。