| 发明名称 | 硅单晶制造方法、硅单晶和晶片 | ||
| 摘要 | 本发明提供通过Czochralski法制造p型硅单晶的硅单晶制造方法，由该硅单晶可以获得电阻率高、电阻率径向均匀性良好且电阻率变化小的晶片。该p型硅单晶2是通过Czochralski法由其中硼浓度不大于4E14个原子/cm3且磷浓度与硼浓度的比例不小于0.42且不大于0.50的初期硅熔体生长的。 | ||
| 申请公布号 | CN103282555A | 申请公布日期 | 2013.09.04 |
| 申请号 | CN201180063344.1 | 申请日期 | 2011.11.10 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 中居克彦;大久保正道 |
| 分类号 | C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 李振东;过晓东 |
| 主权项 | 硅单晶制造方法，其特征在于，通过Czochralski法由其中硼浓度不大于4E14个原子/cm3且磷浓度与硼浓度的比例不小于0.42且不大于0.50的初期硅熔体生长p型硅单晶。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||