| 发明名称 | 具有深槽结构的图形化应变NMOS器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变NMOSFET采用局部应变技术沟道应力分布不均匀，而采用全局应变技术器件设计灵活性较低的问题，提供了一种具有深槽结构的图形化应变NMOS器件及其制作方法，其技术方案可概括为：具有深槽结构的图形化应变NMOS器件，包括源极、漏极、半导体衬底、栅氧化层、源极扩展区、源极重掺杂区、漏极扩展区、漏极重掺杂区、栅极及侧墙，还包括设置在有源区外侧的深隔离槽、仅位于沟道区下方的顶层应变硅及仅位于顶层应变硅下方的介质层，在深隔离槽、源极重掺杂区、漏极重掺杂区、栅极及侧墙的上表面覆盖有本征张应力氮化硅薄膜。本发明的有益效果是，沟道应力更大更均匀，适用于应变NMOS器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103280459A | 申请公布日期 | 2013.09.04 |
| 申请号 | CN201310185281.8 | 申请日期 | 2013.05.17 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 王向展;曾庆平;甘程;刘斌;邹淅 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人 | 刘世平 |
| 主权项 | 具有深槽结构的图形化应变NMOS器件，包括源极、漏极、半导体衬底（1）、栅氧化层（3）、源极扩展区（5）、源极重掺杂区（9）、漏极扩展区（6）、漏极重掺杂区（10）、栅极（4）及侧墙（24），其特征在于，还包括设置在有源区（14）外侧的深隔离槽（13）、仅位于沟道区下方的顶层应变硅（16）及仅位于顶层应变硅下方的介质层（22），所述深隔离槽（13）、源极重掺杂区（9）、漏极重掺杂区（10）、栅极（4）及侧墙（24）的上表面覆盖有一层本征张应力氮化硅薄膜（25）。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||