| 发明名称 | 一种半导体激光器 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种半导体激光器，包括衬底以及依次层叠设置于所述衬底上的缓冲层、N型下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、P型上限制层、过渡层以及电极接触层，上波导层的厚度不同于下波导层的厚度。通过上述方式，本实用新型能够减少对光的总吸收，提高半导体激光器的特性，增加半导体激光器的效率。 | ||
| 申请公布号 | CN203180311U | 申请公布日期 | 2013.09.04 |
| 申请号 | CN201320028424.X | 申请日期 | 2013.01.18 |
| 申请人 | 西安卓铭光电科技有限公司 | 发明人 | 王军营 |
| 分类号 | H01S5/343(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人 | 何青瓦 |
| 主权项 | 一种半导体激光器，其特征在于，包括衬底以及依次层叠设置于所述衬底上的缓冲层、N型下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、P型上限制层、过渡层以及电极接触层，所述上波导层的厚度不同于所述下波导层的厚度。 | ||
| 地址 | 710018 陕西省西安市经济技术开发区草滩生态产业园尚苑路4955号 | ||