发明名称 |
一种选择性脱除全三甲基硅基保护环糊精的6位三甲基硅基的方法 |
摘要 |
本发明属于化学合成领域,具体涉及到区域选择性反应,即全TMS保护基保护的环糊精的伯位即6位TMS保护基的选择性脱除方法。本发明是一种选择性脱除全三甲基硅基保护环糊精的6位三甲基硅基的方法,以全TMS保护的环糊精为底物,以有机溶剂为溶剂,在催化剂作用下及一定温度下,搅拌到原料消失,伯位即6位的三甲基硅基可完全选择性去除,而其它位置上的三甲基硅基仍存在。本发明的乙酸、或甲酸或草酸是一种区域选择性高的三甲基硅基保护基的脱除剂,只脱除6位三甲基硅基保护基,其他位置不受影响;反应条件温和,后处理简单,而且其他保护基如TMS,乙酰基、甲基、乙基、苯基、苄基、烯丙基均不受影响。该方法具有区域选择性高、操作简单、条件温和、产率高、催化剂易得廉价等特点。 |
申请公布号 |
CN103275247A |
申请公布日期 |
2013.09.04 |
申请号 |
CN201310200573.4 |
申请日期 |
2013.05.25 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
崔艳丽;许姗姗;毛建卫;蔡春锋 |
分类号 |
C08B37/16(2006.01)I |
主分类号 |
C08B37/16(2006.01)I |
代理机构 |
杭州中成专利事务所有限公司 33212 |
代理人 |
唐银益 |
主权项 |
一种选择性脱除全三甲基硅基保护环糊精的6位三甲基硅基的方法,其特征在于,以全TMS保护的环糊精为底物,以有机溶剂为溶剂,在催化剂作用下及一定温度下,搅拌到原料消失,伯位即6位的三甲基硅基可完全选择性去除,而其它位置上的三甲基硅基仍存在。 |
地址 |
310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |