发明名称 |
一种背照图像传感器的制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种背照图像传感器的制造方法,包括:在中间晶圆的第一表面上制备TSV和微凸点;在BSI晶圆的第一表面上制备和微凸点匹配的金属互连;将中间晶圆的第一表面和BSI晶圆的第一表面进行面对面键合;将中间晶圆进行减薄;在中间晶圆的第二表面上刻蚀露出TSV并制备凸点;在中间晶圆的第二表面上键合辅助晶圆;将BSI晶圆进行减薄;在BSI晶圆上完成背照图像传感器模块的后续制程;去除中间晶圆第二表面上的辅助晶圆;划片并键合至基板上。本发明中通过晶圆面对面键合,键合后可以利用BSI晶圆做载体来减薄模拟晶圆,省却了一次辅助晶圆的临时键合与去键合,可以降低成本;把不同模块进行三维堆叠,可以减小芯片面积,加快信号传输速度。 |
申请公布号 |
CN103280449A |
申请公布日期 |
2013.09.04 |
申请号 |
CN201310182844.8 |
申请日期 |
2013.05.16 |
申请人 |
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
发明人 |
张文奇 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
常亮 |
主权项 |
一种背照图像传感器的制造方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:S1、在含模拟信号处理电路的中间晶圆的第一表面上制备TSV和微凸点;S2、在含背照图像传感器模块的BSI晶圆的第一表面上制备和微凸点匹配的金属互连;S3、将中间晶圆的第一表面和BSI晶圆的第一表面进行面对面键合;S4、以BSI晶圆为载体将中间晶圆从中间晶圆的第二表面处进行减薄;S5、在中间晶圆的第二表面上刻蚀露出TSV并制备凸点;S6、在中间晶圆的第二表面上键合辅助晶圆;S7、以辅助晶圆和中间晶圆为载体将BSI晶圆从BSI晶圆的第二表面处进行减薄;S8、在BSI晶圆上完成背照图像传感器模块的后续制程;S9、去除中间晶圆第二表面上的辅助晶圆;S10、划片得到键合后的中间芯片和BSI芯片,并将键合后的中间芯片和BSI芯片键合至基板上。 |
地址 |
214135 江苏省无锡市菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋 |