| 摘要 |
本发明揭示半导体结构及形成半导体结构及快闪记忆体单元之方法。某些具体实施例包含形成快闪记忆体单元及半导体结构之方法，而且某些具体实施例包含半导体结构。某些具体实施例可包含一种提供一半导体基板以具有复数个作用区域位置之方法。在该等作用区域位置上形成浮动闸极，其中该等浮动闸极具有整体次微影之宽度。相邻浮动闸极系藉由间隙而彼此间隔。在该等浮动闸极上且在该等间隙内形成介电材料及控制闸极材料。某些具体实施例可包含一种结构，其中一对相邻浮动闸极在一对相邻作用区域上，其中该等浮动闸极系彼此间隔一距离，该距离大于将该等作用区域彼此间隔之一距离。 |
