乾蚀刻后的洗净液组成物及半导体装置之制造方法

摘要

本发明之课题在于提供一种不使蚀刻形状改变而可以除去在绝缘膜的乾蚀刻时产生于蚀刻壁面的残渣(特别是高分子残渣)之洗净液组成物。;本发明之解决手段为：提供一种绝缘膜之图案蚀刻之后处理洗净所使用的洗净液组成物，其含有至少1种氟化合物、乙醛酸、至少一种有机酸盐与水。氟化合物使用氟化铵。有机酸盐使用草酸铵、酒石酸铵、柠檬酸铵以及醋酸铵中至少一种。