发明名称 气化器
摘要 〔课题〕本发明提供气化器,其系可以低温气化供CVD装置成膜之液体原料。;〔解决方法〕;气化器10具备:藉由加热器(66)、(76)与(81)加热的气化室(60);配置于气化室(60)下端部而由加热器(81)加热之一次滤清器(80);将调节过流量的液体原料(LM)由气化室(60)之上方朝一次滤清器(80)滴下之液体原料供应部(24);将载气(Carrier gas)(CG)引导至一次滤清器(80)下面之载气导入路(78);以及将载气(CG)与被气化之液体原料(VM)之混合气体(VM+CG)由气化室(60)上部排出之原料导出路(62)。滴落至一次滤清器(80)的液体原料(LM)一部分被气化,再受到来自下方的载气(CG)的起泡(Bubling)作用而成为雾状。雾的表面积比非雾状态大,因此,液体原料(LM)可以有效受热,可以低温气化液体原料(LM)。
申请公布号 TWI406965 申请公布日期 2013.09.01
申请号 TW095133089 申请日期 2006.09.07
申请人 琳科技股份有限公司 日本 发明人 小野弘文
分类号 C23C16/448;C23C16/54 主分类号 C23C16/448
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本