发明名称 |
半导体装置及半导体装置的制造方法 |
摘要 |
本发明提供利用半导体装置中所使用之挠性基板的优点之薄且可弯曲的半导体装置,及制造半导体装置的方法。半导体装置具有至少一由作为基板保护用的绝缘层所覆盖之表面。于半导体装置中,绝缘层形成在作为天线之导电层使得未覆盖导电层的部份中之绝缘层对导电层的厚度比值系至少1.2,以及形成在导电层上的绝缘层对导电层的厚度比值系至少0.2。再者,不只导电层还有绝缘层外露于半导体装置的侧面,且绝缘层覆盖TFT及导电层。再者,覆盖元件形成层侧的基板系具有支撑在其表面上之基板,该基板使用于此制造过程中。 |
申请公布号 |
TWI407508 |
申请公布日期 |
2013.09.01 |
申请号 |
TW096122935 |
申请日期 |
2007.06.25 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 日本 |
发明人 |
道前芳隆;青木智幸;高桥秀和;山田大干;杉山荣二;荻田香;楠本直人 |
分类号 |
H01L21/31;H01L21/00;H01L27/00 |
主分类号 |
H01L21/31 |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
主权项 |
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地址 |
日本 |