Halbleitervorrichtung, die in der Lage ist, nach dem Häusen auftretende defekte Eigenschaften zu retten

摘要

Eine Speichervorrichtung (110), die in der Lage ist, defekte Eigenschaften zu retten, die nach dem Häusen auftreten, weist eine Speicherzellanordnung (111), welche eine Mehrzahl von Speicherzellen aufweist, und eine Antifuse-Schaltungseinheit (112) auf, welche wenigstens eine Antifuse (2) aufweist. Die Antifuse-Schaltungseinheit (112) speichert eine Adresse einer defekten Zelle der Speicherzellanordnung (111) in der wenigstens einen Antifuse (2) und liest die Adresse einer defekten Zelle zu einer externe Quelle aus. Die Antifuse-Schaltungseinheit (112) speichert einen Defekt-Eigenschafts-Code in der wenigstens einen Antifuse (2), wobei sich der Defekt-Eigenschafts-Code auf wenigstens eines einer Timing-Parameter-Spezifikation, einer Auffrisch-Spezifikation, einer Eingabe-/Ausgabe(I/O)-Triggerspannungs-Spezifikation und einer Datentrainings-Spezifikation der Speichervorrichtung (110) bezieht, und gibt den Defekt-Eigenschafts-Code an eine externe Quelle aus.