| 摘要 |
Verfahren zum Herstellen einer Struktur (80) auf einem Wafer (60) mit integrierten Schaltungen, umfassend: a) Bereitstellen einer Form (30) mit einer oberen Oberfläche, die Einbuchtungen (36) aufweist; b) Auftragen einer Antihaftbeschichtung (32) auf die obere Oberfläche der Form (30); c) Abscheiden eines ersten Materials (40) auf der Antihaftbeschichtung (32), wobei das erste Material (40) die Einbuchtungen (36) ausfüllt und wodurch zwischen der Form (30) und dem ersten Material (40) eine erste Grenzfläche ausgebildet wird, wobei die erste Grenzfläche eine erste Haftfähigkeit aufweist; d) Entfernen eines Teils des ersten Materials (40) derart, dass die Antihaftbeschichtung (32) auf der oberen Oberfläche der Form (30) mit Ausnahme der Einbuchtungen (36) freigelegt wird, wodurch in den Einbuchtungen (36) die Struktur (80) erzeugt wird; e) Anordnen der Antihaftbeschichtung (32) mit Kontakt zum Wafer (60), so dass die Antihaftbeschichtung (32) den Wafer (60) berührt, wobei eine zweite Grenzfläche zwischen der Struktur (80) aus dem ersten Material (40) und dem Wafer (60) ausgebildet wird, wobei die zweite Grenzfläche eine zweite Haftfähigkeit aufweist, die größer ist als die erste Haftfähigkeit; und f) Entfernen der Form (30) vom Wafer (60), wobei die Struktur (80) an dem Wafer (60) haftet.
|
