发明名称 |
薄膜曝光装置以及薄膜曝光方法 |
摘要 |
在薄膜基材(20)的宽度方向的两侧的薄膜基材送给用区域的至少一个区域形成侧部曝光材料膜,通过定位标记形成部(14),照射曝光光来形成定位标记(2a),使用该定位标记(2a)检测薄膜弯曲行进,调整掩模(12)的位置。由此,将薄膜进行连续曝光时的定位标记的形成很容易,且高精度地修正薄膜的弯曲行进,能够得到能稳定地曝光的薄膜曝光装置以及薄膜曝光方法。 |
申请公布号 |
CN103270454A |
申请公布日期 |
2013.08.28 |
申请号 |
CN201180053409.4 |
申请日期 |
2011.08.16 |
申请人 |
株式会社V技术 |
发明人 |
水村通伸 |
分类号 |
G03F9/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L21/677(2006.01)I;H01L21/68(2006.01)I |
主分类号 |
G03F9/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
毛立群;李浩 |
主权项 |
一种薄膜曝光方法, 在使薄膜基材上形成有曝光材料膜的薄膜从卷绕该薄膜的供给卷轴移动到曝光后的薄膜被重绕的重绕卷轴期间,通过经由掩模对所述薄膜的所述曝光材料膜照射曝光光,在所述曝光材料膜中曝光所述掩模的图案的薄膜曝光方法,该薄膜曝光方法的特征在于,在所述薄膜基材的宽度方向的两侧的薄膜基材送给用区域的至少一个区域,与该薄膜基材送给用区域间的曝光区域同样地,形成侧部曝光材料膜,对该侧部曝光材料膜照射定位标记用曝光光来形成定位标记,使用该定位标记检测薄膜弯曲行进,调整所述掩模的位置。 |
地址 |
日本神奈川县横浜市 |