| 发明名称 | 抗辐照红外焦平面探测器读出电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种抗辐照红外焦平面探测器读出电路，该电路包括：在红外焦平面读出电路设计过程中，对辐照敏感电路采用抗辐照金属氧化物半导体器件结构，减少总剂量效应带来的器件阈值漂移，阻断源级与漏级边缘漏电通路，并对重要电路采用P型隔离环在物理上阻断金属氧化物半导体器件结构之间的漏电通路。本发明通过对红外焦平面读出电路中的辐照敏感电路采用抗辐照金属氧化物半导体器件结构，从而减少总剂量效应带来的器件阈值漂移、源级与漏级边缘漏电通路；并对所述红外焦平面读出电路中的重要电路采用P型隔离环在物理上阻断金属氧化物半导体器件结构之间的漏电通路，大大提高了红外焦平面探测器的抗辐照水平。 | ||
| 申请公布号 | CN103268874A | 申请公布日期 | 2013.08.28 |
| 申请号 | CN201310142611.5 | 申请日期 | 2013.04.23 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 发明人 | 李敬国;邓旭光;吉晶晶;岳冬青;于艳;刘晓磊;马静;刘万金 |
| 分类号 | H01L23/552(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/552(2006.01)I |
| 代理机构 | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人 | 张蕾 |
| 主权项 | 一种抗辐照红外焦平面探测器读出电路，其特征在于，包括：在红外焦平面读出电路设计过程中，对辐照敏感电路采用抗辐照金属氧化物半导体器件结构，减少总剂量效应带来的器件阈值漂移，阻断源级与漏级边缘漏电通路，并对重要电路采用P型隔离环在物理上阻断金属氧化物半导体器件结构之间的漏电通路。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号 | ||