发明名称 |
一种陷波特性可重构的超宽带平面单极子天线 |
摘要 |
本实用新型公开一种陷波特性可重构的超宽带平面单极子天线,它包括介质基板(1),和位于介质基板(1)上表面的金属镀层以及两个微电子机械系统(MEMS)开关。所述金属镀层包括辐射单元(2)、共面波导馈线(3)、共面波导地板。其中,所述共面波导地板包括第一共面波导地板(7)、第二共面波导地板(8),所述辐射单元(2)蚀刻出一个类C形槽(4)。本实用新型所提出的天线结构简单紧凑,仅通过控制两个MEMS开关的导通与断开,便可以达到天线陷波特性有无的切换,使天线有效地工作于超宽带(UWB)频段的同时,又能实现陷波频段的产生或消失,从而提高了频带利用率和通信效率。 |
申请公布号 |
CN203166078U |
申请公布日期 |
2013.08.28 |
申请号 |
CN201320107324.6 |
申请日期 |
2013.03.08 |
申请人 |
华南理工大学 |
发明人 |
胡斌杰;黄俊杰 |
分类号 |
H01Q1/38(2006.01)I;H01Q1/48(2006.01)I;H01Q1/52(2006.01)I |
主分类号 |
H01Q1/38(2006.01)I |
代理机构 |
广州粤高专利商标代理有限公司 44102 |
代理人 |
何淑珍 |
主权项 |
一种陷波特性可重构的超宽带平面单极子天线,其特征在于包括介质基板(1)、金属镀层以及两个微电子机械系统(MEMS)开关,其中,所述金属镀层包括辐射单元(2)、共面波导馈线(3)、共面波导地板;所述共面波导地板包括第一共面波导地板(7)、第二共面波导地板(8),所述辐射单元(2)蚀刻出一个类C形槽(4),所述两个微电子机械系统(MEMS)开关包括第一MEMS开关(5)、第二MEMS开关(6);所述金属镀层和所述两个MEMS开关位于所述介质基板(1)的上表面;所述共面波导馈线(3)与所述第一共面波导地板(7)之间存在第一缝隙(9),所述共面波导馈线(3)与所述第二共面波导地板(8)之间存在第二缝隙(10);所述第一MEMS开关(5)和第二MEMS开关(6)跨接在所述类C形槽(4)上。 |
地址 |
510640 广东省广州市天河区五山路381号 |