发明名称 一种锰掺杂铌酸钾钠基无铅压电薄膜的制备方法
摘要 本发明公开了一种锰掺杂的铌酸钾钠基无铅压电薄膜的制备方法,该发明是以非醇铌盐溶胶-凝胶法为基础,提供一种简单、易控制的工艺方法,首先制备稳定的锰掺杂KNN溶胶,然后在(Pt/TiO2/Ti/SiO2/Si)基片上旋涂KNN溶胶,转速为3200r/min,时间为30s,将湿膜在150℃烘干水分,然后在马弗炉中600℃保温10min;同样热处理条件,重复上述步骤8次,即旋涂8层。然后在700℃退火处理10min,最终薄膜厚度2~4μm,所得到的薄膜致密性好、漏电流性能得到改善。
申请公布号 CN103265289A 申请公布日期 2013.08.28
申请号 CN201310187209.9 申请日期 2013.05.14
申请人 齐齐哈尔大学 发明人 张德庆;冯连振;杨秀英;郑方圆;刘纪鹏;曹茂盛
分类号 C04B35/495(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/495(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种锰掺杂铌酸钾钠基无铅压电薄膜的制备方法的特征在于:a、本溶胶凝胶法采用二次沉淀的(Nb(OH)5)为铌源,使其与柠檬酸发生络合反应;b、通过向柠檬酸铌溶液中加入Mn离子,制备出锰掺杂的KNN前驱体溶胶。c、通过乙二醇酯化形成凝胶网络,加入PVP增加溶液的粘度,降低其热处理温度。
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