发明名称 |
一种改善材料场致发射性能的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种改善材料场致发射性能的方法,其特征在于,具体步骤为:在激光打标机相应的电脑软件中做出点阵图像,设定激光打标机的功率密度,使用所述的激光打标机对场发射阴极材料表面进行激光处理。本发明用激光扫描式加工方法处理阴极材料表面,在阴极材料表面规则的、纳米尺寸的、大小均等的小孔,增加缺陷点,烧蚀有机物使得场发射电流增大,稳定性增强;场发射开启电压降低;场发射均匀性提高;同时处理后的材料表面形成规则微纳结构,使像素点间隔减小到约1微米,比现有的尺寸缩小近百倍,可将同尺寸显示器的像素点数目提高近百倍进而实现超高分辨显示。 |
申请公布号 |
CN103264223A |
申请公布日期 |
2013.08.28 |
申请号 |
CN201310178682.0 |
申请日期 |
2013.05.14 |
申请人 |
东华大学 |
发明人 |
吴淑贤;薛绍林 |
分类号 |
B23K26/00(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I |
主分类号 |
B23K26/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海申汇专利代理有限公司 31001 |
代理人 |
翁若莹;王婧 |
主权项 |
一种改善材料场致发射性能的方法,其特征在于,具体步骤为:在激光打标机相应的电脑软件中做出点阵图像,设定激光打标机的功率密度为1W/cm2~10W/cm2,使用所述的激光打标机对场发射阴极材料表面进行激光处理。 |
地址 |
201620 上海市松江区人民北路2999号 |