发明名称 一种耐高压PTC陶瓷及其制备方法
摘要 本发明涉及一种耐高压PTC陶瓷及其制备方法,其主成分及施主掺杂成分的重量百分比如下:BaCO3:36~42%,Pb3O4:28~33%,TiO2:26~29%,CaCO3:0.6~1.8%,Sb2O5:0.05~0.13%,Nd2O3:0.001~0.003%。本发明施主掺杂成分采用Sb2O5和Nd2O3复合添加,其中Sb5+的离子半径与钛离子接近,可以取代Ti4+位充当施主,而Nd3+的离子半径与Ba2+相近,可以取代Ba2+位充当施主杂质,Sb5+及Nd3+的抑制晶粒长大的效果远优于传统的Nb5+或者Y3+,且采用双组分复合掺杂可以在最大程度上减小晶粒的尺寸以提高PTC陶瓷的耐电压性能。
申请公布号 CN103265284A 申请公布日期 2013.08.28
申请号 CN201310190212.6 申请日期 2013.05.22
申请人 苏州新业电子有限公司 发明人 姜文中
分类号 C04B35/468(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/468(2006.01)I
代理机构 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 代理人 黄珩
主权项 一种耐高压PTC陶瓷,其特征在于,其主成分及施主掺杂成分的重量百分比如下:BaCO3 :36~42%,Pb3O4:28~33%,TiO2:26~29%,CaCO3:0.6~1.8%,Sb2O5:0.05~0.13%,Nd2O3:0.001~0.003%。
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