| 发明名称 | 使用提拉法制造半导体单晶的方法以及使用该方法制造的单晶锭和晶片 | ||
| 摘要 | 一种使用提拉(CZ)法制造半导体单晶的方法，在该方法中，将晶种浸没在加入到坩埚中的半导体原料和掺杂剂的熔体中，晶种被边旋转边慢慢向上提拉以生长半导体单晶。这里，基于磁场的垂直分量为0的ZGP(零高斯平面)，具有不同的上部和下部磁场强度的尖形(cusp-type)不对称磁场这样施加于坩埚，即理论上在晶体长度方向上计算的电阻率分布在晶体长度方向上被扩大。因此，在靠近固-液界面的扩散边界层厚度被增加，以增加掺杂剂的有效偏析系数，从而在晶体的长度方向上扩大电阻率的分布，增加单晶的最佳长度，并提高生产力。 | ||
| 申请公布号 | CN101225541B | 申请公布日期 | 2013.08.28 |
| 申请号 | CN200710164263.6 | 申请日期 | 2007.10.17 |
| 申请人 | 斯尔瑞恩公司 | 发明人 | 洪宁皓;李祥准;郑盛午;李洪雨 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 章社杲;李丙林 |
| 主权项 | 一种使用提拉(CZ)法制造半导体单晶的方法，其中，将晶种浸没到容纳在坩埚中的半导体原料和掺杂剂的熔体中，然后将所述晶种边旋转边慢慢向上提拉以生长半导体单晶，其中向所述坩埚施加基于磁场的垂直分量为0的零高斯平面的具有上部和下部磁场强度互不相同的尖形不对称磁场，使实际测量的电阻率分布与理论计算的电阻率分布相比在晶体的长度方向上扩展；其中，在已生长的半导体单晶的长度方向上的0到1/2L区域中测定的电阻率比所述理论计算的电阻率增长了0至15％，在已生长的半导体单晶的长度方向上的1/2L到1L区域中测定的电阻率比所述理论计算的电阻率增长了0至40％。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道 | ||