发明名称 一种利用低频磁通信的射频SIM卡启动交易的距离门限判断方法
摘要 本发明涉及一种利用低频磁通信的射频SIM卡启动交易的距离门限判断方法,包括:设置第一门限为启动交易的距离对应的低频磁场强度值,第二门限为低频磁场有效通信距离对应的低频磁场强度值,第三门限为最远交易距离对应的低频磁场强度值;射频SIM卡对读卡器发出的低频磁场强度进行检测,判断低频磁场强度是否大于或等于第二门限,若是则接收并存储低频磁场信息;射频SIM卡进一步判断低频磁场强度是否大于或等于第一门限,若是则射频SIM卡启动交易流程;在交易流程中,射频SIM卡判断低频磁场强度是否小于第三门限,若是则中断本次交易。本发明缩短了射频SIM卡的启动交易时间,同时减少了用户刷卡时间,提升了用户体验。
申请公布号 CN102215051B 申请公布日期 2013.08.28
申请号 CN201010138494.1 申请日期 2010.04.02
申请人 国民技术股份有限公司 发明人 蒋宇
分类号 H04B5/00(2006.01)I;G06K7/00(2006.01)I;G07F7/08(2006.01)I 主分类号 H04B5/00(2006.01)I
代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人 杨立
主权项 一种利用低频磁通信的射频SIM卡启动交易的距离门限判断方法,其特征在于,所述射频SIM卡通过低频通道与其对应的读卡器进行近距离通信的距离控制,通过射频通道与所述读卡器进行交易,所述利用低频磁通信的射频SIM卡启动交易的距离门限判断方法包括:步骤a,设置第一门限为启动交易的距离对应的低频磁场强度值,第二门限为低频磁场有效通信距离对应的低频磁场强度值,第三门限为最远交易距离对应的低频磁场强度值,所述第一门限大于或等于第三门限,所述第三门限大于或等于第二门限;步骤b,射频SIM卡不断对读卡器发出的低频磁场强度进行检测,判断该低频磁场强度是否大于或等于所述第二门限,若是则接收并存储低频磁场信息;步骤c,射频SIM卡进一步判断读卡器发出的低频磁场强度是否大于或等于所述第一门限,若是则射频SIM卡启动交易流程;步骤d,在所述交易流程中,射频SIM卡检测读卡器发出的低频磁场强度并判断其是否小于所述第三门限,若是则中断本次交易。
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