Verbesserte Vorlagenschichten für die heteroepitaxiale Abscheidung von III-Nitridhalbleitermaterialien unter Verwendung von HVPE-Vorgängen

摘要

Verfahren zum Abscheiden von III-Nitridhalbleitermaterialien auf Substraten umfassen das Abscheiden einer Schicht von III-Nitridhalbleitermaterial auf einer Oberfläche eines Substrats bei einer Keimbildungs-HVPE-Vorgangsphase, um eine Keimbildungsschicht auszubilden, die eine Mikrostruktur hat, die wenigstens etwas amorphes III-Nitridhalbleitermaterial enthält. Die Keimbildungsschicht kann angelassen werden, um kristalline Inseln aus epitaxialem Keimbildungsmaterial auf der Oberfläche des Substrats auszubilden. Die Inseln des epitaxialen Keimbildungsmaterials können bei einer Vereinigungs-HVPE-Vorgangsphase anwachsen und sich vereinigen, um eine Keimbildungsvorlagenschicht des epitaxialen Keimbildungsmaterials auszubilden. Die Keimbildungsvorlagenschicht kann wenigstens im wesentlichen die Oberfläche des Substrats bedecken. Zusätzliches III-Nitridhalbleitermaterial kann auf der Keimbildungsvorlagenschicht des epitaxialen Keimbildungsmaterials bei einer zusätzlichen HVPE-Vorgangsphase abgeschieden werden. Abschließende und zwischenliegende Strukturen, die III-Nitridhalbleitermaterial enthalten, werden durch derartige Verfahren ausgebildet.