| 摘要 |
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements mit den folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen eines Aufwachssubstrates (1), – epitaktisches Aufwachsen einer Nukleationsschicht (2) auf dem Aufwachssubstrat (1), – Aufbringen einer strukturierten dielektrischen Schicht (3) auf die Nukleationsschicht (2), – Aufbringen einer epitaktischen Schicht (4) mittels eines FACELO-Verfahrens auf der strukturierten dielektrischen Schicht (3), – epitaktisches Aufwachsen einer epitaktischen Schichtenfolge (5) auf die epitaktische Schicht (4), wobei die epitaktische Schichtenfolge (5) eine aktive Zone (6) umfasst, die zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignet ist. |
